作為中微第一代電介質刻蝕產(chǎn)品，Primo DRIE?是12英寸雙反應臺多反應腔主機系統(tǒng)，可靈活裝置多達三個雙反應臺反應腔（六個反應臺）。每個反應腔都可以同時加工兩片晶圓。該設備運用了中微具有自主知識產(chǎn)權的創(chuàng)新技術，包括甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應等離子體源、等離子體隔離環(huán)、以及用于控制腔體內(nèi)反應環(huán)境的先進工藝組件。Primo DRIE刻蝕設備可用于加工包括氧化硅、氮化硅及低介電系數(shù)膜層等所有的電介質材料。Primo DRIE于2007年發(fā)布之后，由于其較低的生產(chǎn)成本、較高的生產(chǎn)效率和優(yōu)異的芯片加工性能，已在國際主流芯片生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)。